芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

46,309 条型号记录

每页 20 条

MT53E1G64D4SQ-046 AAT ES:A

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。

查看资料询价

MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E

Micron

DRAM

查看资料询价

MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。

查看资料询价

MT53E768M64D4SQ-046 AAT ES:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

查看资料询价

MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

查看资料询价

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

查看资料询价

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。

查看资料询价

MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

查看资料询价

MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D

Micron

DRAM

查看资料询价

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。

查看资料询价

MT53E768M32D4DT-046 AAT ES:E TR

Micron

主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。

查看资料询价

MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E

Micron

DRAM

查看资料询价

MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D

Micron

DRAM

查看资料询价

MT53E1536M32D4DT-046 AAT ES:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1.5 G x 32。

查看资料询价

MT53D1G32D4NQ-053 WT ES:E TR

Micron · 封装：VFBGA-200

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32，采用 VFBGA-200 封装。

查看资料询价

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E

Micron

DRAM

查看资料询价

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。

查看资料询价

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。

查看资料询价

MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR

Micron · 封装：WFBGA-200

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。

查看资料询价

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。