IS49NLS93200-33BI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W947D6HBHX5I
Winbond · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。W988D2FBJX6I
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT40A1G8Z01AWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 Die 封装。IS49NLS93200-25B
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC18160-33BI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。IS41LV16100C-50KLI-TR
ISSI · 封装：SOJ-42
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 SOJ-42 封装。IS49NLS18320-25BI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLC96400-25BI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E
Micron
DRAMMT53B384M64D4NH-062 WT ES:A
Micron
DRAMMT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。AS4C512M16D3LA-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS41C16257C-35TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-40
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-40 封装。IS41LV16256C-35TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-40
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-40 封装。MT53D1G32D4NQ-046 WT ES:E
Micron
DRAMMT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E
Micron
DRAM LPDDR4 48G 768MX64 FBGA 8DPMT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
Micron
DRAMMT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。