MT53B384M64D4NH-062 WT ES:A TR
Micron · 封装：WFBGA-272
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64，采用 WFBGA-272 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E128M32D2DS-046 AAT ES:A
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
Micron · 封装：POP-366
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 6 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 384 M x 16，采用 POP-366 封装。W988D2FBJX7E TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT53E128M16D1DS-053 AAT ES:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。W948D2FBJX5E TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W988D6FBGX6I TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W948D6FBHX5E TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W987D2HBJX6I TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W947D6HBHX5E TR
Winbond · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。W97BH6LBVX2E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W988D2FBJX7E
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT53D512M16D1Z11MWC2 ES
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 Die 封装。MT52L256M32D1V01MWC2
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 Die 封装。MT53B128M32D1Z00NWC2 AT
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、最小工作温度 - 40 C，采用 Die 封装。IS42S32160D-6BI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS42S32160D-6BI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。AS4C1G8D3LA-12BCN
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS42S32800G-6BI
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS41C16256C-35TLI
ISSI · 封装：TSOP-40
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-40 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。