EMD3D256M08G1-150CBS1
Everspin Technologies · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W948D2FBJX5E
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W947D2HBJX5I
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT53B256M16D1Z00MWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 Die 封装。MT41K128M16V89C3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 Die 封装。MT53E768M64D4SQ-046 AAT ES:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron
DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA QDPMT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。W988D6FBGX7E
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。MT53B256M32D1Z91MWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 Die 封装。MT52L256M32D1V01MWC2 MS
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 Die 封装。MT53B192M32D1Z9AMWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 6 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 192 M x 32，采用 Die 封装。MT53D384M16D1Z1AMWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 6 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 384 M x 16，采用 Die 封装。MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 Die 封装。MT40A256M16Z90BWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 Die 封装。MT46V64M8T67A3WC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 64 M x 8，采用 Die 封装。AS4C512M16D3LA-12BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B
Micron
DRAM LPDDR4 16G 256MX64 FBGA QDPIS41LV16257C-35TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-40
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-40 封装。MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。