W6351G6KB12I
Winbond · 封装：TFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W987D2HBJX7E
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT53B256M32D1Z01MWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 Die 封装。MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 Die 封装。MT40A512M16Z01AWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 Die 封装。MT53D512M16D1Z11MWC2
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 Die 封装。MT53B128M32D1Z00NWC2
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 Die 封装。MT40A512M8Z90BWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 Die 封装。EMD3D256M08G1-150CBS1R
Everspin Technologies · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。AS4C512M16D3LA-12BIN
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT53B256M64D2TP-062 L XT ES:C
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64、最小工作温度 - 30 C。MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B
Micron
DRAMMT53E128M16D1DS-046 AAT ES:A
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。W956D6HBCX7I TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W988D6FBGX6E TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W956D6HBCX7I
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。MT53B512M16D1Z11MWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 Die 封装。MT41K512M8V00HWC1
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 Die 封装。W97BH2LBVX2E
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。