MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32，采用 VFBGA-200 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53D1G32D4NQ-046 WT ES:E TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32，采用 VFBGA-200 封装。MT53E1536M32D4DT-046 AAT ES:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1.5 G x 32。MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A
Micron
主要参数包括存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E
Micron
DRAMW948D2FBJX6E TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B
Micron
DRAMW948D6FBHX6E TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W988D6FBGX7E TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。IS46R86400D-6BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。W947D2HBJX5I TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W987D2HBJX6E TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W947D2HBJX6E TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W987D2HBJX7E TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W947D6HBHX5I TR
Winbond · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。W987D6HBGX6I TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W987D6HBGX6E TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W947D2HBJX5E TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。W987D6HBGX7E TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。