IS46TR16128A-125KBLA1
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录EDB8164B4PR-1D-F-D
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-216 封装。MT53B384M64D4NK-053 WT:B
Micron
DRAM LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDPMT53B512M32D2DS-062 AIT:C
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDPMT53B512M32D2NP-062 AAT:C
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDPEDB8164B4PT-1DIT-F-D
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-216 封装。MT53E256M32D2DS-046 AUT:B
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT53E256M32D2DS-053 AUT:B
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。EDBA164B2PR-1D-F-D
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-216 封装。MT53B512M32D2NP-062 AIT:C
Micron
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDPMT53B768M32D4DT-062 AIT:B TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32，采用 VFBGA-200 封装。MT53B768M32D4DT-062 AIT:B
Micron
DRAM LPDDR4 24G 768MX32 FBGA QDPMT52L1G32D4PG-107 WT:B
Micron
DRAM LPDDR3 32G 1GX32 FBGA QDPIS46TR81024BL-107MBLA1-TR
ISSI · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS46TR81024BL-125KBLA1-TR
ISSI · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS46TR81024B-125KBLA1-TR
ISSI · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS46TR16512BL-107MBLA1-TR
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS43TR16512A-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS46TR16512B-107MBLA1-TR
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。