IS49NLC93200-33B
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W947D6HBHX6E
Winbond · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。W987D6HBGX6E
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W948D6FBHX5I
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W966D6HBGX7I
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。W988D6FBGX6E
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。IS43QR16256A-083RBLI
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 256 M x 16，采用 FBGA-96 封装。IS45S32800D-6BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS42S32800G-6BI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS43LR32800F-6BLI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 TFBGA-90 封装。IS46TR16128AL-125KBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS46TR16128AL-15HBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS46TR16128A-125KBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS43LR32800F-6BL-TR
ISSI · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 TFBGA-90 封装。IS46TR16128A-125KBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS43TR16128A-15HBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS43TR16128AL-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS43DR86400C-3DBI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。IS43TR16128AL-15HBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS43TR16128A-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。