MT53E256M32D2DS-053 AUT:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT52L256M64D2FT-107 WT:B
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR
Micron · 封装：POP-366
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64，采用 POP-366 封装。MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64、最小工作温度 - 30 C，采用 FBGA-216 封装。MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。IS45S16160G-6TLA1 -TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS67WVC4M16EALL-7010BLA1
ISSI · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。MT53B384M32D2DS-062 AIT:B
Micron
DRAM LPDDR4 12G 384MX32 FBGA DDPIS46TR16128A-15HBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS46TR16128AL-15HBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS49NLC36160-25EWBL
ISSI · 封装：WFCBGA-144
主要参数包括类型 RLDRAM2、湿敏性 是、商品名称 RLDRAM2，采用 WFCBGA-144 封装。W948D2FBJX6E
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。IS49NLS18320-33BI
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS49NLS93200-33B
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。W988D6FBGX6I
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPSDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。