IS46R16320E-5TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS46LR32160C-6BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 BGA-90 封装。IS43TR16512A-15HBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。EDBA164B2PR-1D-F-R
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 64 位，采用 FBGA-216 封装。MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。IS49NLC18160-33B
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 RLDRAM2，采用 BGA-144 封装。IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR
ISSI · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。IS43TR16128AL-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS43TR16128A-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS43TR16128AL-15HBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS43TR16128A-15HBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS42S32200L-6BI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS42S32200L-6B-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS43TR85120AL-15HBL
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。IS46DR16640B-25EBLA1
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。MT53D1G64D8SQ-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。IS43DR86400C-3DBI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。MT52L1G32D4PG-093 WT:B TR
Micron · 封装：FBGA-178
主要参数包括最大时钟频率 1067 MHz、存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32、最小工作温度 - 30 C，采用 FBGA-178 封装。MT40A2G4WE-075E:D TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 12 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。