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存储器

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型号列表

46,309 条型号记录
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IS42VM32400H-6BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-90

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是,采用 BGA-90 封装。

IS46TR16128C-15HBLA1-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是,采用 BGA-96 封装。

IS46R16320E-5BLA1-TR

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-60 封装。

IS46DR16320E-25DBLA1-TR

ISSI · 封装:BGA-84

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-84 封装。

IS43LD16160B-25BLI-TR

ISSI · 封装:FBGA-134

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-134 封装。

IS45S32400F-7BLA1-TR

ISSI · 封装:BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 BGA-90 封装。

IS43R16160D-6BL-TR

ISSI · 封装:FBGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 FBGA-60 封装。

IS42RM32400H-75BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-90

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是,采用 BGA-90 封装。

IS43TR16128BL-15HBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L,采用 BGA-96 封装。

IS45S16160J-7BLA1-TR

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz,采用 BGA-54 封装。

IS46TR16128D-125KBLA2-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16,采用 BGA-96 封装。

IS43TR81280B-15GBL-TR

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是,采用 BGA-78 封装。

IS43DR81280C-3DBLI-TR

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是,采用 BGA-60 封装。

IS42RM16800H-6BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是,采用 BGA-54 封装。

IS42SM16800H-6BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz,采用 BGA-54 封装。

IS45S16160G-7CTLA2-TR

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 TSOP-54 封装。

IS43LR16160G-6BL-TR

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1,采用 BGA-60 封装。

IS43LR16160H-6BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - DDR、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-60 封装。

IS43LR32400G-6BL-TR

ISSI

主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。

IS42RM16800H-75BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-54

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是,采用 BGA-54 封装。

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