IS49RL18320-093EBLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录AS4C16M16SA-6BANTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。IS46TR16128DL-125KBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 BGA-96 封装。AS4C128M32MD2A-18BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。IS43TR85120A-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。IS46TR16640B-125JBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43LR16160H-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。IS46TR16128D-125KBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16，采用 BGA-96 封装。IS43R86400E-5TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS43R16320E-5TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS46R16160D-6TLA2-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS49RL18320-093EBL
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS49RL36160-093EBL
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS42S32800J-75ETLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS43TR85120B-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-78 封装。IS43TR16128D-107MBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43TR16128CL-15HBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS46TR16640ED-15HBLA1-TR
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS43R86400D-5TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.6 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。AS4C32M16SB-6TINTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。