IS43R16320E-5BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43R86400E-5BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS46R16160D-5BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。IS43LR32800G-6BLI-TR
ISSI · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 TFBGA-90 封装。AS4C64M16D1A-6TCNTR
Alliance Memory · 封装：TSOPII-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOPII-66 封装。IS43R86400F-5BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS43TR82560CL-15HBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43TR85120B-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 BGA-78 封装。IS43R16320E-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。IS43R86400E-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS42RM32800K-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。IS43R86400F-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。AS4C256M16D3LB-10BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS45S32400F-7BLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS43DR82560C-3DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-60 封装。IS43DR82560C-25DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-60 封装。IS45S16160G-7BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS43R16320F-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS42SM32800K-75BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。IS45S16160J-7BLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz，采用 BGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。