IS46TR16256B-107MBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42S86400F-7TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。AS4C512M8D3LB-10BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS42S86400D-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS46DR16160B-25DBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43LR32800H-6BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - DDR、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。IS46DR16640C-3DBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是，采用 BGA-84 封装。IS43DR16640C-3DBI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-84 封装。IS43R86400F-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS43R16320F-5BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS43LD16128B-18BL-TR
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-134 封装。IS43DR86400D-3DBI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。IS43TR82560DL-107MBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-78 封装。AS4C256M16D3LB-10BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。AS4C32M16SA-7BINTR
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。IS43TR81280B-107MBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43TR82560D-107MBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 BGA-78 封装。IS42SM16160K-75BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-54 封装。IS43R16320F-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS46R16320D-5TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.6 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。