IS49NLS93200-25WBLI
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 9 位，采用 WBGA-144 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43LR32640A-6BL
ISSI · 封装：WBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位，采用 WBGA-90 封装。IS46LR32160C-6BLA1
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-90 封装。AS4C16M16D1A-5TINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。AS4C2M32D1A-5BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是。AS4C32M8D1-5TINTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、存储组织结构 32 M x 8、湿敏性 是。IS46TR16128CL-15HBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS45S16800F-7BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS46TR16128BL-15HBLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43DR16320D-3DBI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43TR82560C-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43LD16640C-18BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、湿敏性 是。IS43LR32160C-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 BGA-90 封装。AS4C64M16D1A-6BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。IS45S16320F-6TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。IS45S16320F-7CTLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。IS46TR16256BL-107MBLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。IS43LR16640A-5BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 BGA-60 封装。IS42S32160F-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS45S16320F-7TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。