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IS42VM16400M-6BLI-TR

ISSI

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。

AS4C64M8D3L-12BINTR

Alliance Memory

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 64 M x 8。

IS43R16160D-5TL-TR

ISSI · 封装:TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 TSOP-66 封装。

IS43DR16160B-3DBL-TR

ISSI · 封装:BGA-84

主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2,采用 BGA-84 封装。

AS4C32M16D1A-5TANTR

Alliance Memory · 封装:TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位,采用 TSOP-66 封装。

IS43R16160F-5TL-TR

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是,采用 TSOP-54 封装。

AS4C32M16MD1A-5BINTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。

IS46LR32160C-6BLA2

ISSI · 封装:BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 BGA-90 封装。

IS42S32160F-6BL

ISSI · 封装:BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 BGA-90 封装。

AS4C64M4SA-6TINTR

Alliance Memory · 封装:TSOP-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、数据总线宽度 4 位、存储组织结构 64 M x 4,采用 TSOP-54 封装。

IS43LR32640A-6BLI

ISSI · 封装:WBGA-90

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 32 位,采用 WBGA-90 封装。

AS4C2M32SA-6TINTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。

IS49NLC18160-25WBLI

ISSI · 封装:WBGA-144

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位,采用 WBGA-144 封装。

IS49NLC93200-25WBLI

ISSI · 封装:WBGA-144

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压(最大值) 2.63 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 9 位,采用 WBGA-144 封装。

IS49NLS93200-33WBLI

ISSI · 封装:FBGA-144

主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压(最大值) 2.63 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 9 位,采用 FBGA-144 封装。

AS4C8M16D1A-5TANTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是。

AS4C4M32SA-6TCNTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。

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