IS43TR16128C-15HBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43R32800D-5BL-TR
ISSI · 封装：LFBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 LFBGA-144 封装。IS42S83200G-7TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。AS4C8M16SA-6BANTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。IS45S16160J-7CTLA2-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。AS4C128M8D2-25BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-60 封装。IS49RL36160-107EBL
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS49RL18320-107EBL
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS49RL36160-093BL
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。AS4C128M32MD2A-25BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。IS46R16160D-5TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS43R32800D-6BL-TR
ISSI · 封装：LFBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 LFBGA-144 封装。IS45S16400J-6BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。AS4C64M8D1-5BINTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、存储组织结构 64 M x 8、湿敏性 是。IS43TR16640BL-107MBL-TR
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-96 封装。IS43R16320F-5TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS42SM32200M-6BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS49RL18320-107BLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS49RL36160-107BLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS43LR32200C-6BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。