MT53B768M64D8WF-062 WT:D
Micron
DRAM存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53B8DANK-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D8DARG-DC
Micron · 封装：FBGA-78
采用 FBGA-78 封装。MT53D8DBNZ-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D768M64D8RG-053 WT:D TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64，采用 FBGA-78 封装。MT53D768M32D2DS-053 WT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT53D4DCTW-DC TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64，采用 FBGA-96 封装。MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR
Micron · 封装：POP-366
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64，采用 POP-366 封装。MT53D768M64D8WF-053 WT:D TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53D512M64D4HR-053 WT:D TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT49H16M36SJ-18:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 FBGA-144 封装。MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR
Micron
DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DPMT53D4DCSB-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DBKA-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DCFL-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DDFL-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D8DBNZ-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D8DAWF-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DASB-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。IS45S16800F-7CTLA2-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。