IS49NLC96400A-33WBL
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 9 位，采用 WBGA-144 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS49NLS96400A-33WBL
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 9 位，采用 WBGA-144 封装。AS4C4M32SA-6TINTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。IS43R16160F-5TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。IS42S83200J-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位，采用 TSOP-54 封装。IS49NLC36160A-25EWBL
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 WBGA-144 封装。IS46TR81024BL-125KBLA1
ISSI · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。IS45S16400J-6TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS49NLC18320A-33WBL
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 WBGA-144 封装。IS49RL18320-093BLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。AS4C2M32D1A-5BINTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是。IS49RL36160-093BLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS49RL18320-107EBLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS49RL36160-107EBLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。MT53D4DBFL-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53D4DARN-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53E1G64D4SQ-046 WT:A
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。MT53D4DFSB-DC TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT53E2G32D8QD-053 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。MT53D8DAWF-DC
Micron
DRAM型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。