IS43LR16200D-6BL-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43R86400E-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS45S16320D-7BLA2
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS43R86400F-5TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS43R16320E-5TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。IS43DR16160B-37CBL-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 266 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS41LV16105D-50KLI-TR
ISSI · 封装：SOJ-42
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 M x 16，采用 SOJ-42 封装。AS4C4M32D1A-5BINTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、存储组织结构 4 M x 32、湿敏性 是。IS41LV16105D-50TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-50-44
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 FPM DRAM、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 M x 16，采用 TSOP-50-44 封装。IS43DR86400E-3DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-60 封装。IS46LR16320B-6BLA2
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。IS43R83200F-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS43R16160D-5TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。AS4C8M32MSA-6BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-90 封装。IS43R16320F-5TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS49NLS96400A-25WBL
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 9 位，采用 WBGA-144 封装。IS49NLS18320A-25WBL
ISSI · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 FBGA-144 封装。IS45S16400J-6CTLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。AS4C4M32D1A-5BCNTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、存储组织结构 4 M x 32、湿敏性 是。IS49NLS18320A-33WBL
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 18 位，采用 WBGA-144 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。