IS43R16320E-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS42VM32100D-6BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS43R16320D-5TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS43TR81280BL-125JBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43DR16320D-3DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43LR16200D-6BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。IS43TR81280B-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。IS43R86400D-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。AS4C4M16SA-6BANTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。AS4C8M16D1-5BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。IS41LV16100D-50TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-50-44
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 M x 16，采用 TSOP-50-44 封装。AS4C64M8D3-12BINTR
Alliance Memory
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位。IS43DR86400C-3DBL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。AS4C32M16D2B-25BINTR
Alliance Memory
主要参数包括湿敏性 是。IS45S16160J-6CTLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是，采用 TSOP-54 封装。IS43R32400E-5BLI-TR
ISSI · 封装：BGA-144
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-144 封装。IS45S16160G-7TLA1-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS42S32200L-7BL-TR
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。IS42S83200G-7TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS43TR82560CL-125KBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。