MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53D4DAHR-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53B4DATT-DC
Micron
DRAMMT53D768M64D4NZ-046 WT:A
Micron
DRAM LPDDR4 48G 768MX64 FBGA QDPMT53D4DHSB-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D4DANW-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D4DBSB-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D4DFSB-DC
Micron
DRAM LPDDR4 0 512MX64 FBGA QDPMT53D4DCNZ-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53E768M32D4DT-053 AIT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT53E768M32D4DT-046 AIT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。IS49RL18320-125EBLI
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。IS43R83200F-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS43R86400E-6TLI-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。IS43R86400F-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 TSOP-66 封装。AS4C64M16D3LB-12BANTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS42RM16200D-6BLI-TR
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS43TR81280B-125JBL-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。AS4C4M32S-7BCNTR
Alliance Memory · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TFBGA-90 封装。AS4C32M16D3-12BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。