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型号列表

46,309 条型号记录
每页 20 条

MT53D8D1BSQ-DC TR

Micron

主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

MT53D768M32D2DS-053 WT:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。

MT53B8DANK-DC TR

Micron · 封装:POP-366

主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4,采用 POP-366 封装。

MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 4 G x 16。

MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

MT53D8D1AJS-DC TR

Micron

主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

MT53E768M64D4SQ-046 WT:A

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。

MT53E1G32D4NQ-053 WT:E TR

Micron

主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32。

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。

MT44K64M18RB-083F:A TR

Micron · 封装:BGA-168

主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压(最大值) 1.42 V、电源电压(最小值) 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 18 位,采用 BGA-168 封装。

MT44K32M36RB-083F:A TR

Micron · 封装:BGA-168

主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压(最大值) 1.42 V、电源电压(最小值) 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位,采用 BGA-168 封装。

MT53D4DBBD-DC

Micron

主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

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