MT53D8D1BSQ-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Micron
主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。Micron · 封装:POP-366
主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4,采用 POP-366 封装。Micron
DRAM LPDDR4 48Gbit 64 556/841Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 4 G x 16。Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。Micron
主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32。Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。Micron · 封装:BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压(最大值) 1.42 V、电源电压(最小值) 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 18 位,采用 BGA-168 封装。Micron · 封装:BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压(最大值) 1.42 V、电源电压(最小值) 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位,采用 BGA-168 封装。Micron
DRAMMicron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4Micron
主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。Micron · 封装:FBGA-96
采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。