AS4C256M8D3LB-12BAN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43R86400E-6BLI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、湿敏性 是，采用 BGA-60 封装。IS46R16320E-5BLA1
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-60 封装。IS42VM32100D-6BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS43R86400D-6BL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。IS42SM32200M-6BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS42RM16200D-6BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS42RM32100D-75BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS42VM32200M-6BLI
ISSI · 封装：32 bit
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是，采用 32 bit 封装。IS42RM16200D-75BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS46R16320E-5TLA1
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。MT53B1024M64D8PM-062 WT:D
Micron
DRAMMT53E1G64D4SQ-046 AAT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。MT53E1G64D4SQ-046 WT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53D8DANW-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D8D1BSQ-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。