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MT48LC4M32B2P-6A:L TR

Micron · 封装：TSOP-86

主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。
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MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR

Micron · 封装：VFBGA-60

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。
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MT48LC2M32B2P-6A IT:J TR

Micron · 封装：TSOP-86

主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。
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IS42VM16320E-6BLI

ISSI · 封装：BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-54 封装。
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IS43LR32160C-6BLI

ISSI · 封装：BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 BGA-90 封装。
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IS45S32800J-7BLA1

ISSI · 封装：BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。
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IS42S32800G-6BLI

ISSI · 封装：BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。
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IS46TR16640B-15GBLA2

ISSI · 封装：BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。
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IS43TR16128B-15HBLI

ISSI · 封装：BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。
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IS43R16320D-6TLI

ISSI · 封装：TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。
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IS43DR86400C-25DBLI

ISSI · 封装：BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。
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IS43DR86400D-3DBLI

ISSI · 封装：BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。
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IS43DR86400D-25DBLI

ISSI · 封装：BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。
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IS43DR16320C-25DBLI

ISSI · 封装：BGA-84

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。
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IS42S32800G-7BL

ISSI · 封装：BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-90 封装。
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IS43TR81280B-15GBLI

ISSI · 封装：BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。
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IS43DR16320C-3DBLI

ISSI · 封装：BGA-84

主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。
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IS42SM16160K-6BLI

ISSI · 封装：BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-54 封装。
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IS43DR16320D-3DBLI

ISSI · 封装：BGA-84

主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。
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IS42RM16160K-6BLI

ISSI · 封装：BGA-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-54 封装。
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