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型号列表

46,309 条型号记录
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MT40A2G8FSE-083E:A TR

Micron · 封装:FBGA-78

主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压(最大值) 1.26 V、电源电压(最小值) 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-78 封装。

MT53D6DABE-DC

Micron

主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

MT53D4DHSB-DC TR

Micron

主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

MT53D4DBSB-DC TR

Micron

主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

MT53D4D1ARQ-DC TR

Micron

主要参数包括电源电压(最大值) 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

IS46R16320D-6BLA2

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 BGA-60 封装。

IS43R32160D-5BLI

ISSI · 封装:LFBGA-144

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.6 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 LFBGA-144 封装。

AS4C2M32SA-7TCNTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。

IS43LR16320C-6BL

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - DDR,采用 BGA-60 封装。

IS43LD32640B-18BPLI

ISSI · 封装:BGA-168

主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.95 V、电源电压(最小值) 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位,采用 BGA-168 封装。

AS4C4M16D1A-5TANTR

Alliance Memory · 封装:TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 TSOP-66 封装。

AS4C4M16SA-6TANTR

Alliance Memory · 封装:TSOP-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 TSOP-54 封装。

AS4C4M16D1A-5TINTR

Alliance Memory · 封装:TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位,采用 TSOP-66 封装。

AS4C512M8D3LB-10BIN

Alliance Memory · 封装:FBGA-78

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-78 封装。

IS46R16320E-6BLA2

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-60 封装。

IS46R86400D-6BLA1

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 BGA-60 封装。

IS46R16320D-6BLA1

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 BGA-60 封装。

IS43TR82560CL-15HBL

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是,采用 BGA-78 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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