芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

46,309 条型号记录

每页 20 条

IS46R16320E-6TLA2

ISSI · 封装：TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。

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IS46R16320D-6TLA1

ISSI · 封装：TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。

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IS43R86400D-5TLI

ISSI · 封装：TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作电源电压 2.6 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。

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IS43TR82560CL-125KBL

ISSI · 封装：BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性是，采用 BGA-78 封装。

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MT53E1536M32D4DT-046 AIT:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。

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MT53E1536M32D4DT-046 AAT:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。

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MT53D4D1ASQ-DC TR

Micron

主要参数包括存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

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MT53D768M64D8NZ-046 WT:E

Micron

DRAM LPDDR4 48G 768MX64 FBGA 8DP

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MT53E2G32D4DT-046 AAT:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 2 G x 32。

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MT53D8DBNW-DC

Micron

主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

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MT53D4D1ASQ-DC

Micron

DRAM LPDDR4 0 768MX64 FBGA QDP

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MT53D8DANW-DC TR

Micron

主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

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MT53D8DBNW-DC TR

Micron · 封装：Die

主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。

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MT53D8DANZ-DC TR

Micron

主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。

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MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 64 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64、最小工作温度 - 30 C。

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MT53D768M64D4SQ-053 WT:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

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MT53E768M64D4SQ-046 WT:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。

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MT53E1536M32D4DT-046 WT:A TR

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1536 M x 32。

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MT53D768M64D8RG-053 WT:D

Micron · 封装：FBGA-78

采用 FBGA-78 封装。

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MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A

Micron

主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 64 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 1 G x 64。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。