W97AH6KBVX1I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53D8DARG-DC TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4，采用 FBGA-78 封装。IS42RM32100D-6BLI
ISSI
主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。IS43DR86400D-3DBI
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 333 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-60 封装。IS43LD32640B-18BPL
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-168 封装。IS46DR16320C-25DBLA1
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。AS4C64M8D1-5TCNTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、存储组织结构 64 M x 8、湿敏性 是。AS4C8M32MD2A-25BCNTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 FBGA-134 封装。IS42RM32160E-75BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM Mobile，采用 BGA-90 封装。IS43LR16320B-6BL
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 BGA-60 封装。IS43LR32320B-6BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - DDR，采用 BGA-90 封装。IS49NLC36800-25WBL
ISSI · 封装：WFCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 WFCBGA-144 封装。AS4C8M16SA-6TANTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS49NLC36800-33WBLI
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 WBGA-144 封装。IS45S16100H-7TLA2-TR
ISSI · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。IS45S16320D-7CTLA2
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。AS4C32M8D1-5TCNTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM - DDR1、存储组织结构 32 M x 8、湿敏性 是。MT53D8D1ASQ-DC TR
Micron
主要参数包括存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53E768M64D4SQ-046 AIT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。IS43LR32800H-6BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - DDR、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-90 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。