MT53D4DANY-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53D384M64D4FL-046 XT:E
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。MT53E384M32D2DS-046 AIT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。EMFM432A1PH-DV-F-D
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。EMB8132B4PM-DV-F-D
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT53E384M32D2DS-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT53E384M32D2DS-053 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT40A1G8SA-062E AUT:E TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-78 封装。MT53B256M64D2NW-053 WT:C
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。EDFA364A3PM-GD-F-D
Micron · 封装：FBGA-216
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C，采用 FBGA-216 封装。MT40A512M16TB-062E IT:J TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16，采用 FBGA-96 封装。MT40A1G8SA-062E IT:J TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-78 封装。MT53B2DARN-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53B2DATG-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D2DADS-DC
Micron
DRAMMT53E384M32D2DS-046 AUT:E
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT52L256M64D2QB-125 XT:B
Micron
DRAM LPDDR3 16G 256MX64 FBGA DDPW634GU6MB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W634GU8MB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W634GG8MB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。