MT53E4DCDT-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT49H8M36SJ-25 IT:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 FBGA-144 封装。MT40A512M8SA-062E AUT:F TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 FBGA-78 封装。MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 512 M x 16。MT40A2G4SA-062E:E TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。MT53E384M32D2DS-046 WT:E
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT40A512M8SA-062E AAT:F TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 FBGA-78 封装。MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32、最小工作温度 - 40 C，采用 WFBGA-200 封装。MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT61K256M32JE-12:A TR
Micron
DRAM GDDR6 8G 256MX32 FBGAMT53B256M64D2TG-062 XT:C
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64、最小工作温度 - 30 C。MT53E4DANZ-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53E384M32D2DS-053 AIT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT53B1DADS-DC TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4，采用 WFBGA-200 封装。MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT40A2G4SA-075:E TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 4 位，采用 FBGA-78 封装。MT53B384M32D2DS-062 AAT:B
Micron
DRAMMT53D384M64D4KA-046 XT:E
Micron
DRAM LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDPMT53D4DAWT-DC
Micron
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。