MT53B1DBDS-DC TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT53E4DADT-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53E4DCDT-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53E2DCDS-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53D2DBDS-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53E1DBDS-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53D4DADT-DC TR
Micron · 封装：VFBGA-200
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4，采用 VFBGA-200 封装。MT53E2DADS-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53ED1ADS-DC TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 GB、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53B256M64D2NW-053 WT:C TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。MT53E2DCDS-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53ED1ADS-DC
Micron
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53E4DADT-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53E2DBDS-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53B1DADS-DC
Micron
DRAMMT53E2DADS-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53B2DADS-DC
Micron
DRAMMT53E1DBDS-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53E4DBDT-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53B2DBDS-DC
Micron
DRAM型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。