MT53D4DGSB-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT44K32M18RB-107E IT:B TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 18 位，采用 BGA-168 封装。MT53B4DATT-DC TR
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT53B384M32D2DS-062 AUT:B
Micron
DRAMMT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT61K512M32KPA-14:B TR
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.3905 V、电源电压（最小值） 1.3095 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 FBGA-180 封装。MT53E384M32D2DS-053 AUT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 12 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32。MT53D1024M32D4BD-053 WT:D TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 1 G x 32。MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。MT53E512M64D4NK-053 WT:D TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 32 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT53E512M64D4NK-046 WT:D TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT53D4DBNY-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT61M256M32JE-12 N:A TR
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.2875 V、电源电压（最小值） 1.2125 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 FBGA-180 封装。EMB4432BBBBJ-DV-F-D
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。MT44K16M36RB-107E:B TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 36 位，采用 BGA-168 封装。MT44K32M18RB-107E:B TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 18 位，采用 BGA-168 封装。MT53E4DBDT-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT53B2DADS-DC TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4，采用 WFBGA-200 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。