MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT49H16M36SJ-18 IT:B TR
Micron · 封装：FBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 FBGA-144 封装。MT52L4DAPQ-DC TR
Micron · 封装：FBGA-253
主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR3，采用 FBGA-253 封装。MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 12 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。MT53D4DESB-DC
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。MT53D4DDSB-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53B4DCNY-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DGSB-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D4DASB-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D4DCSB-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT53D4DDFL-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DCFL-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT61M256M32JE-12 AAT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1.5 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.25 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT53D4DBKA-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT61K512M32KPA-16:B TR
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 95 C，采用 FBGA-180 封装。MT61M256M32JE-10 AAT:A TR
Micron · 封装：FBGA-180
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.2875 V、电源电压（最小值） 1.2125 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 FBGA-180 封装。MT44K32M18RB-093E:B TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 18 位，采用 BGA-168 封装。MT40A1G16RC-062E:B TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。MT52L256M64D2QA-125 XT:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 16 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR3、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 256 M x 64。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。