AS4C512M16D3L-12BCN
Alliance Memory · 封装：TFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43TR16256AL-125KBLI
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L，采用 BGA-96 封装。IS43TR16256A-15HBL
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3，采用 BGA-96 封装。IS42S32800J-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。IS42S16160J-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.019083 oz，采用 TSOP-54 封装。IS42S16400J-7BLI
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS42S16160G-7TL
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。AS4C16M16SA-7TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS42S16800F-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。AS4C8M16SA-7TCN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。AS4C4M16SA-6TIN
Alliance Memory · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。IS42S16400J-6TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS42S16400J-7TLI
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。MT41K256M16TW-107 AAT:P TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT41K256M16TW-107 IT:P TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS42S16400J-6TL
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。MT41K256M16TW-107 XIT:P TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR
Micron · 封装：TSOP-86
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TSOP-86 封装。MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR
Micron · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 167 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。MT41K256M16TW-107:P TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。