MT40A512M8SA-062E AIT:F TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 FBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W9825G2JB-6I TR
Winbond · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-90 封装。MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 4 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 128 M x 32。MT53B1DATG-DC
Micron
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32。MT53B128M32D1DS-053 AUT:A
Micron
DRAMW97AH6KBQX2I TR
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH6KBQX1E TR
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH6KBQX1I TR
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH6KBQX2E TR
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH2KBQX1E TR
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH2KBQX2E TR
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH2KBQX1I TR
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH2KBQX2I TR
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。MT53B2DARN-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DAKA-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。W634GG8MB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。MT53D4DANY-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53B384M64D4TX-053 WT:B
Micron
DRAM LPDDR4 24G 384MX64 FBGA QDPMT53B4DATX-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DAKA-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。