MT53D384M64D4KA-046 XT:E TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录MT52L4DAPQ-DC
Micron
DRAMMT53D384M64D4FL-046 XT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 384 M x 64。MT53D4DARN-DC
Micron
DRAM SPECIAL/CUSTOM LPDDR4MT61M512M32KPA-10 AAT:B
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1.25 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.25 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。MT61M512M32KPA-12 AAT:B
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1.5 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.25 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。MT53D4DCNZ-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DANW-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DBNZ-DC TR
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。MT53D4DBNW-DC TR
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT40A1G8WE-075E:D TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1333 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。W972GG8KS25I TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W958D6DBCX7I TR
Winbond · 封装：VFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 PSRAM (Psuedo SRAM)、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-54 封装。MT51K256M32HF-70:B TR
Micron
DRAM GDDR5 8G 256MX32 FBGAW972GG8KB-18 TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。MT53B256M32D1PX-062 XT:C
Micron
DRAM LPDDR4 8G 256MX32 FBGAMT40A512M8SA-062E IT:F TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 512 M x 8，采用 FBGA-78 封装。W972GG8KS-25 TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。MT40A1G8SA-062E AIT:E
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 1 G x 8，采用 FBGA-78 封装。MT53D4DABD-DC
Micron
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。