W9864G2JB-6I
Winbond · 封装：TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位，采用 TFBGA-90 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GS4576C36GM-33
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 16 M x 36、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。GS4576C18GM-33
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 32 M x 18、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。W979H6KBQX2I
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。W979H2KBQX1I
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。W979H6KBQX1I
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。W634GU8MB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。MT52L256M64D2QA-125 XT:B
Micron
DRAM LPDDR3 16G 256MX64 FBGA DDPMT53B2DBDS-DC TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4，采用 WFBGA-200 封装。MT53D2DADS-DC TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4，采用 WFBGA-200 封装。MT40A1G16RC-062E IT:B TR
Micron · 封装：FBGA-96
主要参数包括存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.26 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 G x 16，采用 FBGA-96 封装。MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 1866 MHz、存储容量 32 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 512 M x 64。MT44K64M18RB-093E:A TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 18 位，采用 BGA-168 封装。MT53D4DBFL-DC
Micron · 封装：Die
主要参数包括电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM - LPDDR4，采用 Die 封装。MT44K64M18RB-107E IT:A TR
Micron · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 1200 MHz、存储容量 1.125 Gbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、类型 RLDRAM3、数据总线宽度 18 位，采用 BGA-168 封装。MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR
Micron
主要参数包括存储容量 24 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT52L4DAGN-DC
Micron
DRAMMT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 48 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 64 位、存储组织结构 768 M x 64。MT53D768M32D2DS-046 WT:A TR
Micron
主要参数包括最大时钟频率 2133 MHz、存储容量 24 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 768 M x 32。MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR
Micron · 封装：WFBGA-200
主要参数包括最大时钟频率 1600 MHz、存储容量 12 Gbit、电源电压（最大值） 1.1 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 384 M x 32，采用 WFBGA-200 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。