W634GU6MB09I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W634GG6MB09I
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W634GG8MB15I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W634GU8MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W634GG8MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W634GU8MB12I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。GS4576C36GM-18
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 16 M x 36、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。W634GU6MB-09
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。GS4576C36GM-24I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 16 M x 36、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。W9464G6KH-5I TR
Winbond · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。GS4576C18GM-24I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 32 M x 18、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。GS4576C36GM-25I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 16 M x 36、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。W634GG6MB-15
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。GS4576C18GM-24
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 32 M x 18、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。GS4576C36GM-24
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 16 M x 36、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。W971GG8SS25I
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 128 M x 8，采用 WBGA-60 封装。GS4576C18GM-33I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 32 M x 18、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。W97AH2KBQX1I
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。W97AH2KBQX1E
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。GS4576C09GN-25
GSI Technology
主要参数包括存储容量 576 Mbit、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 95 C、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。