W634GG6MB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W634GU8MB-15 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W634GG8MB-15 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W634GU6MB-15 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W634GG6MB-15 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W979H2KBVX2I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W979H6KBVX2I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-134 封装。W979H2KBVX1I TR
Winbond · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-134 封装。W9425G6KH-5I TR
Winbond · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。S70KL1281DABHV020
Cypress Semiconductor
主要参数包括类型 HyperRAM、湿敏性 是、商品名称 HyperRAM。RM3315-XSNI-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 128 kbit、电源电压（最大值） 1.98 V、电源电压（最小值） 1.17 V、类型 CBRAM、数据总线宽度 32 位，采用 SOIC-8 封装。W9812G6KH-5I TR
Winbond · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-54 封装。W634GG8MB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W972GG8KB-18
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W634GU8MB09I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W634GG8MB09I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。RM3314-XSNI-T
Adesto Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 1.98 V、电源电压（最小值） 1.17 V、类型 CBRAM、数据总线宽度 32 位，采用 SOIC-8 封装。W972GG8KS-25
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W634GG8MB11I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W634GG8MB12I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。