W632GG6NB15I TR
Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。Winbond · 封装:TFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 32 位,采用 TFBGA-90 封装。Micron · 封装:FBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8,采用 FBGA-78 封装。Winbond · 封装:VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-60 封装。Winbond · 封装:VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-60 封装。Winbond · 封装:WBGA-84
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16,采用 WBGA-84 封装。Winbond · 封装:VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-78 封装。Winbond · 封装:VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-78 封装。Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压(最大值) 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16、访问时间 20 ns,采用 VFBGA-96 封装。Winbond · 封装:VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-78 封装。Winbond · 封装:VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-78 封装。GSI Technology · 封装:FBGA
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压(最大值) 2.63 V、电源电压(最小值) 1.7 V、存储组织结构 16 M x 36、最小工作温度 - 40 C,采用 FBGA 封装。Winbond · 封装:VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 VFBGA-96 封装。Winbond · 封装:VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-78 封装。Winbond · 封装:VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-78 封装。Winbond · 封装:VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-78 封装。Winbond · 封装:WBGA-60
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 32 M x 8,采用 WBGA-60 封装。Winbond · 封装:WBGA-60
主要参数包括存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 32 M x 8,采用 WBGA-60 封装。Winbond · 封装:VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压(最大值) 1.45 V、电源电压(最小值) 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位,采用 VFBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。