W632GG8NB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W632GU8NB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W631GG6MB15I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W631GG6MB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W9864G6JB-6I TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W631GU8MB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GG8MB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W9751G8KB25I TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 64 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W631GU8MB12I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GG8MB12I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W948V6KBHX5I TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W631GU8MB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GG8MB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GU8MB15I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GG8MB15I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W948V6KBHX5E TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W948D6KBHX5E TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。W6351G6KB-12 TR
Winbond · 封装：TFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-96 封装。W631GG8MB-09 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。W631GU8MB-09 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 VFBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。