W632GG8NB12I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录W632GU8NB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W9864G6JT-6I TR
Winbond · 封装：TFBGA-54
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TFBGA-54 封装。W631GG6MB-09 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W631GU6MB-09 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W631GU6MB-11 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W631GU6MB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W632GG8NB-09 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W632GU8NB-09 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W632GG8NB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。EDB130ABDBH-1D-F-D
Micron · 封装：VFBGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 1 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 bit, 32 bit、存储组织结构 64 M x 16, 32 M x 32、最小工作温度 - 30 C，采用 VFBGA-134 封装。W632GG8NB-15 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W632GU8NB-11 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W632GG8NB-11 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W632GU8NB-12 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W632GU8NB-15 TR
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W631GU6MB11I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。W631GG6MB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。MT46V32M16CY-5B XIT:J TR
Micron · 封装：FBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-60 封装。W631GU6MB09I TR
Winbond · 封装：VFBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-96 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。