IS49NLC93200-33WBLI
ISSI · 封装：WBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 9 位，采用 WBGA-144 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43R16800E-6TL-TR
ISSI · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 TSOP-66 封装。IS49NLC36800-25EWBL
ISSI · 封装：WFCBGA-144
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 288 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 RLDRAM2、数据总线宽度 36 位，采用 WFCBGA-144 封装。IS46TR16256BL-107MBLA1
ISSI · 封装：BGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-96 封装。AS4C8M16D1A-5TINTR
Alliance Memory · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR1、存储组织结构 8 M x 16，采用 TSOP-66 封装。IS43LR32160B-6BL
ISSI · 封装：BGA-90
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR1，采用 BGA-90 封装。IS43TR82560BL-15HBLI
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是，采用 BGA-78 封装。AS4C4M32SA-7TCNTR
Alliance Memory
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。IS43LD32640B-18BLI
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-134 封装。IS45S16320D-7TLA1
ISSI · 封装：TSOP-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 TSOP-54 封装。IS43LD16128B-18BLI
ISSI · 封装：BGA-134
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-134 封装。GS4576C18GM-18I
GSI Technology · 封装：FBGA
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 2.63 V、电源电压（最小值） 1.7 V、存储组织结构 32 M x 18、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。MT41K128M16JT-125 M AIT:K
Micron · 封装：FBGA-96
采用 FBGA-96 封装。W971GG8SB-25 TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 128 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W971GG8SS25I TR
Winbond · 封装：WBGA-60
主要参数包括存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 128 M x 8，采用 WBGA-60 封装。W94AD6KBHX6I TR
Winbond · 封装：VFBGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 16 位，采用 VFBGA-60 封装。MT53E128M16D1DS-053 AIT:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。W94AD2KBJX5I TR
Winbond · 封装：VFBGA-90
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.7 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR、数据总线宽度 32 位，采用 VFBGA-90 封装。MT53E128M16D1DS-046 AIT:A TR
Micron
主要参数包括存储容量 2 Gbit、类型 SDRAM Mobile - LPDDR4、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 128 M x 16。MT41K256M8DA-107 AAT:K TR
Micron · 封装：FBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8，采用 FBGA-78 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。