IS43LD32640B-18BPLI-TR
ISSI · 封装：BGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM Mobile - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 BGA-168 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录IS43DR16320C-25DBI-TR
ISSI · 封装：BGA-84
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.9 V、电源电压（最小值） 1.7 V、工作电源电压 1.8 V、类型 SDRAM - DDR2，采用 BGA-84 封装。IS43R86400D-6BL-TR
ISSI · 封装：BGA-60
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-60 封装。W979H2KBQX1E
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位，采用 WFBGA-168 封装。W979H6KBQX1E
Winbond · 封装：WFBGA-168
主要参数包括最大时钟频率 533 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 1.95 V、电源电压（最小值） 1.14 V、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 16 位，采用 WFBGA-168 封装。W9464G6KH-5 TR
Winbond · 封装：TSOP-66
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、类型 SDRAM - DDR、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-66 封装。W632GG8NB09I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 Gbit、电源电压（最大值） 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。W9816G6JH-7I TR
Winbond · 封装：TSOP-50
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 16 位，采用 TSOP-50 封装。W632GU8NB09I
Winbond · 封装：VFBGA-78
主要参数包括存储容量 2 GBit、电源电压（最大值） 1.35 V、类型 SDRAM-DDR3L、数据总线宽度 8 位、存储组织结构 256 M x 8、访问时间 20 ns，采用 VFBGA-78 封装。ECF00453ZCN-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 6 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 192 M x 32，采用 Die 封装。ECF620AAACN-C1-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 6 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 192 M x 32，采用 Die 封装。ECB130ABDCN-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 1 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR2、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 32 M x 32，采用 Die 封装。ECF840AAACN-C1-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 8 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 256 M x 32，采用 Die 封装。IS46TR16512BL-125KBLA1-TR
ISSI · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。ECF620AAACN-C2-Y3
Micron · 封装：Die
主要参数包括存储容量 6 Gbit、类型 SDRAM - LPDDR3、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 192 M x 32，采用 Die 封装。IS45S16320D-7BLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS45S16320D-7BLA1-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM，采用 BGA-54 封装。IS43TR81024BL-125KBLI-TR
ISSI · 封装：BGA-78
主要参数包括最大时钟频率 1066 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 BGA-78 封装。AS4C512M16D3LA-10BINTR
Alliance Memory · 封装：FBGA-96
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 8 Gbit、电源电压（最大值） 1.45 V、电源电压（最小值） 1.283 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。IS45S16320F-7BLA2-TR
ISSI · 封装：BGA-54
主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是、单件重量 0.003517 oz，采用 BGA-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。