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46,309 条型号记录
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IS42SM32100D-6BLI-TR

ISSI

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。

IS42RM32100D-75BLI-TR

ISSI

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。

IS43DR81280C-3DBL-TR

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是,采用 BGA-60 封装。

IS43DR81280C-25DBL-TR

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括类型 SDRAM - DDR2、湿敏性 是,采用 BGA-60 封装。

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM Mobile - LPDDR1、湿敏性 是。

IS43R86400D-5TL-TR

ISSI · 封装:TSOP-66

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.6 V、类型 SDRAM - DDR1,采用 TSOP-66 封装。

IS42VM32100D-75BLI-TR

ISSI

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。

AS4C32M16D3L-12BINTR

Alliance Memory

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.35 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 32 M x 16。

IS43TR81280BL-125KBL-TR

ISSI · 封装:BGA-78

主要参数包括类型 SDRAM - DDR3L、湿敏性 是,采用 BGA-78 封装。

IS42RM16200D-75BLI-TR

ISSI

主要参数包括类型 SDRAM Mobile、湿敏性 是。

IS45S32200L-7TLA2-TR

ISSI · 封装:TSOP-86

主要参数包括最大时钟频率 143 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM,采用 TSOP-86 封装。

IS41LV16100D-50KLI-TR

ISSI · 封装:SOJ-42

主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 EDO DRAM、数据总线宽度 16 位、存储组织结构 1 M x 16,采用 SOJ-42 封装。

IS43TR16128B-15HBL-TR

ISSI · 封装:BGA-96

主要参数包括最大时钟频率 666 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、工作电源电压 1.5 V、类型 SDRAM - DDR3,采用 BGA-96 封装。

AS4C32M16D3-12BCNTR

Alliance Memory · 封装:FBGA-96

主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.575 V、电源电压(最小值) 1.425 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-96 封装。

AS4C8M32S-7TCNTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。

IS43DR86400E-25DBL-TR

ISSI · 封装:BGA-60

主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 1.9 V、电源电压(最小值) 1.7 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 8 位,采用 BGA-60 封装。

IS42S83200J-6TLI-TR

ISSI · 封装:TSOP-54

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 3 V、类型 SDRAM、数据总线宽度 8 位,采用 TSOP-54 封装。

IS42SM16320E-75BLI-TR

ISSI · 封装:FBGA-54

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、类型 SDRAM Mobile、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-54 封装。

AS4C8M32S-6TINTR

Alliance Memory

主要参数包括类型 SDRAM、湿敏性 是。

IS42SM32160E-75BLI-TR

ISSI · 封装:BGA-90

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3.3 V、类型 SDRAM Mobile,采用 BGA-90 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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