GD55B02GFB2RY
GigaDevice
NOR Flash存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD55B02GFBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。GD55B02GFFIRR
GigaDevice
NOR FlashGD55F01GFBIRY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD55F01GFF2RR
GigaDevice
NOR FlashGD55F01GFFIRR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD55F01GFY2GR
GigaDevice
NOR FlashGD55F01GFYIGR
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD55F02GFB2RY
GigaDevice
NOR FlashGD55F02GFBIRY
GigaDevice
NOR FlashGD55F512MFWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括存储容量 512 Mbit、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 WSON-8 封装。GD55LB01GEB2RY
GigaDevice
NOR FlashGD55LB01GEBARY
GigaDevice
NOR FlashGD55LB01GEBERY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。GD55LB01GEBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。GD55LB01GEF2RR
GigaDevice
NOR FlashGD55LB01GEFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 SOP-16 封装。GD55LB01GEY2GR
GigaDevice
NOR FlashGD55LB01GEY2GY
GigaDevice
NOR FlashGD55LB01GEYAGR
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