GD55B01GEB2RY
GigaDevice
NOR Flash存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录GD55B01GEBARY
GigaDevice
NOR FlashGD55B01GEBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。GD55B01GEBJRY
GigaDevice
NOR FlashGD55B01GEF2RR
GigaDevice
NOR FlashGD55B01GEFARR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V，采用 SOP-16 封装。GD55B01GEFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 50 mA，采用 SOP-16 封装。GD55B01GEFJRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-16 封装。GD55B01GEY2GR
GigaDevice
NOR FlashGD55B01GEY2GY
GigaDevice
NOR FlashGD55B01GEYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD55B01GEYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 WSON-8 封装。GD55B01GFBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 TFBGA-24 封装。GD55B01GFF2RR
GigaDevice
NOR FlashGD55B01GFFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-16 封装。GD55B01GFY2GR
GigaDevice
NOR FlashGD55B01GFYIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 WSON-8 封装。GD55B02GEB2RY
GigaDevice
NOR FlashGD55B02GEBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 TFBGA-24 封装。GD55B02GEBJRY
GigaDevice
NOR Flash型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。