GD25WQ64ESIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。存储器
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型号列表
46,309 条型号记录GD25WQ64ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ64ESIGY
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 SOP-8 封装。GD25WQ64ESJGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 SOP-8 封装。GD25WQ64ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 SOP-8 封装。GD25WQ64ETIGY
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 SOP-8 封装。GD25WQ64EWIGR
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WSON-8 封装。GD25WQ80EEEGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25WQ80EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 USON-8 封装。GD25WQ80ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ80ETEGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。GD25WQ80ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 8 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ80ETJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WR256EYIGY
GigaDevice
NOR FlashGD25X512MEB2RY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR SPI, OPI, SPI、定时类型 Synchronous。GD25X512MEBARY
GigaDevice
NOR FlashGD25X512MEBIRY
GigaDevice · 封装：TFBGA-24
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-24 封装。GD25X512MEF2RR
GigaDevice
NOR FlashGD25X512MEFARR
GigaDevice
NOR FlashGD25X512MEFIRR
GigaDevice · 封装：SOP-16
主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。