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46,309 条型号记录
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GD25WQ32ETIGR

GigaDevice · 封装：SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。
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GD25WQ40EEEGR

GigaDevice · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。
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GD25WQ40EEIGR

GigaDevice · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 12 mA，采用 USON-8 封装。
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GD55T01GEBARY

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。
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GD55T01GEYAGR

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。
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GD55T01GEYIGR

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR/Quad SPI, QPI, SPI、定时类型 Synchronous。
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GD55X01GEF2RR

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR SPI, OPI, SPI、定时类型 Synchronous。
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GD55X01GEFIRR

GigaDevice · 封装：SOP-16

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-16 封装。
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GD55X02GEB2RY

GigaDevice

主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 DTR SPI, OPI, SPI、定时类型 Synchronous。
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GD55X02GEBIRY

GigaDevice · 封装：TFBGA-24

主要参数包括最大时钟频率 166 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-24 封装。
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GD25WQ40ETIGR

GigaDevice · 封装：SOP-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 4 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 12 mA，采用 SOP-8 封装。
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GD25WQ64E3IGR

GigaDevice · 封装：WLCSP-14

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WLCSP-14 封装。
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GD25WQ64ENIGR

GigaDevice · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 USON-8 封装。
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GD25WQ64EQIGR

GigaDevice · 封装：USON-8

主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、数据总线宽度 8 位，采用 USON-8 封装。
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