GD25WQ128EYIGY
GigaDevice · 封装：WSON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WSON-8 封装。存储器
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
46,309 条型号记录GD25WQ16EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 USON-8 封装。GD25WQ16EEJGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 USON-8 封装。GD25WQ16ENIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、存储组织结构 1 M x 8，采用 USON-8 封装。GD25WQ16ESIG
GigaDevice
主要参数包括存储容量 16 Mbit。GD25WQ16ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ16ESJG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Dual/Quad SPI, SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-8 封装。GD25WQ16ESJGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WQ16ETEGR
GigaDevice
NOR FlashGD25WQ16ETIG
GigaDevice
主要参数包括存储容量 16 Mbit。GD25WQ16ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 16 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ20EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 12 mA，采用 USON-8 封装。GD25WQ20ETIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 2 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 12 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ32EEIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 USON-8 封装。GD25WQ32ELIGR
GigaDevice · 封装：WLCSP-14
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 WLCSP-14 封装。GD25WQ32ENIGR
GigaDevice · 封装：USON-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 USON-8 封装。GD25WQ32ESIG
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ32ESIGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 SOP-8 封装。GD25WQ32ESJGR
GigaDevice · 封装：SOP-8
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、最小工作温度 - 40 C，采用 SOP-8 封装。GD25WQ32ETEGR
GigaDevice
NOR Flash型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。